Die n-Dotierung (negative Dotierung) in der Photovoltaik bezieht sich auf den Prozess, bei dem Fremdatome mit zusätzlichen Elektronen in die Kristallstruktur eines Halbleitermaterials, wie beispielsweise Silizium, eingefügt werden. Diese zusätzlichen Elektronen sind frei beweglich und tragen eine negative Ladung.

Phosphor ist ein häufig verwendetes Element für die n-Dotierung, da es über ein Elektron mehr verfügt als Silizium. Wenn Phosphoratome in die Siliziumstruktur eingefügt werden, bleibt dieses zusätzliche Elektron frei beweglich und trägt zur Leitfähigkeit des Materials bei.

Die n-Dotierung bildet zusammen mit der p-Dotierung (positive Dotierung) den sogenannten pn-Übergang in einer Solarzelle. An dieser Grenzfläche geraten einige Elektronen aus der n-Schicht in die p-Schicht, was zu einem internen elektrischen Feld führt. Dieses Feld ist entscheidend für die Funktion der Solarzelle, da es die Elektronen in eine Richtung drängt und so einen Strom erzeugt.

Solarzellen aus n-Typ Silizium, also mit n-Dotierung, haben bestimmte Vorteile gegenüber klassischen Photovoltaikmodulen. Sie weisen in der Regel eine längere Lebensdauer auf und können unter bestimmten Bedingungen eine höhere Effizienz aufweisen.